而EUV光刻机,又是进入7nm以下工艺时,必不可少的半导体设备,脱离EUV光刻机,不或许制作得出来。
而美国一向禁绝ASML将EUV光刻机卖给咱们,所以咱们要进入5nm、3nm确实是适当困难的,由于DUV光源究竟选用的是193nm波长的光线,多重曝光后的极限光刻,或许也只支撑7nm。
所以对咱们而言,有必要打破EUV光刻机才行,不然芯片工艺就会一向卡在7nm这个阶段。
但要打破EUV光刻机,真的不容易,由于ASML现已将最为要害的几大供应链,绑在了自己的战车上,这几大企业,不会给ASML之外的光刻机厂商,供给技能、零件。
比方EUV光刻体系运用的,蔡司的布拉格透镜等,只要蔡司能出产,也只卖给ASML,其它厂商买不到。
而近来,总算有新的道路呈现了,这次是科学家们研讨出了EUV光刻机中,EUV光源的代替计划,不需要选用现有的这种计划。
现有的计划是EUV-LPP计划,也便是激光等离子体EUV光源,经过二氧化碳激光器炮击锡金属液滴,发生EUV,再搜集起来用来刻录晶圆。
新的计划叫做EUV-FEL,后边三个字母不同,代表获取EUV光线的方法不一样。EUV-FEL选用的是自由电子激光器,即由电子加快电子束在振荡器中发光,最终发生EUV光线。
这种方法,不需要二氧化碳激光器,不需要锡金属液滴参加,设备简略一些,且本钱也低许多, 功率转化效率高许多。
更重要的是,EUV-FEL技能发生的光源,不仅仅能够发生13.5nm波长的EUV光线nm波长的BEUV光线。
可见,假如选用这种全新的EUV-FEL技能,不仅能绕开ASML现在给职业构建的壁垒,绕开蔡司等被ASML绑定的供应链,有或许研宣布比EUV光刻机更先进的BEUV光刻机。
现在EUV-FEL是一种新技能,美国、日本、欧洲都有组织在研讨,也没有被独占的供应链,全部都在全新的,能够说咱们处于同一起跑线。
也意味着,现在国内也能够研讨这项技能,且这种EUV-FEL电子加快电子束技能、振荡器技能,咱们并不落后,咱们也彻底有期望在这一技能上,完成弯道超车的。
更重要的是,前面现已提到了,这种EUV-FEL技能,能够出产出更短波长的BEUV光源,假如用这种光源来制作光刻机,那就比EUV光刻机更厉害了,那么咱们的光刻机难题,就不再是难题了。
所以加油吧,时机来了,全新的技能,等着咱们去打破,一旦霸占,那咱们当时半导体工业遇到的全部镇压,都不起作用了。