而EUV光刻机，又是进入7nm以下工艺时，必不可少的半导体设备，脱离EUV光刻机，不或许制作得出来。
而美国一向禁绝ASML将EUV光刻机卖给咱们，所以咱们要进入5nm、3nm确实是适当困难的，由于DUV光源究竟选用的是193nm波长的光线，多重曝光后的极限光刻，或许也只支撑7nm。
所以对咱们而言，有必要打破EUV光刻机才行，不然芯片工艺就会一向卡在7nm这个阶段。
但要打破EUV光刻机，真的不容易，由于ASML现已将最为要害的几大供应链，绑在了自己的战车上，这几大企业，不会给ASML之外的光刻机厂商，供给技能、零件。
比方EUV光刻体系运用的，蔡司的布拉格透镜等，只要蔡司能出产，也只卖给ASML，其它厂商买不到。
而近来，总算有新的道路呈现了，这次是科学家们研讨出了EUV光刻机中，EUV光源的代替计划，不需要选用现有的这种计划。
现有的计划是EUV-LPP计划，也便是激光等离子体EUV光源，经过二氧化碳激光器炮击锡金属液滴，发生EUV，再搜集起来用来刻录晶圆。
新的计划叫做EUV-FEL，后边三个字母不同，代表获取EUV光线的方法不一样。EUV-FEL选用的是自由电子激光器，即由电子加快电子束在振荡器中发光，最终发生EUV光线。
这种方法，不需要二氧化碳激光器，不需要锡金属液滴参加，设备简略一些，且本钱也低许多， 功率转化效率高许多。
更重要的是，EUV-FEL技能发生的光源，不仅仅能够发生13.5nm波长的EUV光线nm波长的BEUV光线。
可见，假如选用这种全新的EUV-FEL技能，不仅能绕开ASML现在给职业构建的壁垒，绕开蔡司等被ASML绑定的供应链，有或许研宣布比EUV光刻机更先进的BEUV光刻机。
现在EUV-FEL是一种新技能，美国、日本、欧洲都有组织在研讨，也没有被独占的供应链，全部都在全新的，能够说咱们处于同一起跑线。
也意味着，现在国内也能够研讨这项技能，且这种EUV-FEL电子加快电子束技能、振荡器技能，咱们并不落后，咱们也彻底有期望在这一技能上，完成弯道超车的。
更重要的是，前面现已提到了，这种EUV-FEL技能，能够出产出更短波长的BEUV光源，假如用这种光源来制作光刻机，那就比EUV光刻机更厉害了，那么咱们的光刻机难题，就不再是难题了。
所以加油吧，时机来了，全新的技能，等着咱们去打破，一旦霸占，那咱们当时半导体工业遇到的全部镇压，都不起作用了。
