金融界2024年7月28日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，山东华光光电子股份有限公司请求一项名为“一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的办法“，公开号CN3.7，请求日期为2024年4月。
专利摘要显现，本发明触及一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的办法，归于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明大功率激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域为纳米级SiO2绝缘层，替代了较厚的光刻胶绝缘层，以此来下降电镀后大功率半导体激光器图形化的违背度，改进纵向发散角；一起，此办法为全掩盖TiPtAu种子层，无需剥离去除非镀金区上的TiPtAu种子层，在非镀金区上成长纳米级SiO2绝缘层，确保了整个晶圆的导电性共同，镀层均匀性稳定在10％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。此办法也避免了碱性电镀液中光刻胶的溶解，避免了电镀液的污染和电镀镀层的污染，大幅度的提升了镀层金属良率和电镀液的利用率。
